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一、核心規(guī)格參數(shù)
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電壓/電流/功率能力
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高壓模式:支持 3000 V 測試(用于器件關斷特性分析,如 IGBT、晶閘管)。
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大電流模式:脈沖電流峰值 400 A(測試導通特性,如功率 MOSFET)。
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功率上限:高達 3000 W,滿足高功率半導體測試需求。
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測量精度與分辨率
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電流分辨率:1 nA(基礎模式),支持低至 1 pA 的高分辨率測量(需選配)。
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電壓分辨率:2 mV,開爾文感應(Kelvin Sensing)減少接觸誤差。
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測試模式
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掃描測量:自動生成 I-V 曲線族,通過低占空比脈沖避免器件過熱。
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波形分析:支持曲線對比、包絡顯示、波形平均,直觀分析器件動態(tài)特性。
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二、核心功能特點
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**與精度設計
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開爾文四線測量:標配適配器(如 A1005)消除導線電阻影響,提升小信號精度。
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**夾具:標配 A1001 測試夾具,支持表面封裝器件(A1023/A1024 適配器)。
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數(shù)據(jù)管理與控制
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存儲介質(zhì):內(nèi)置 1.44 MB 軟驅(qū)(MS-DOS 兼容),保存曲線位圖與測試配置。
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程控接口:支持 GPIB 遠程控制與前面板操作,適配自動化測試系統(tǒng)。
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分析工具
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光標測量:點光標、窗口光標、功能線,精準讀取曲線上任意點的電壓/電流值。
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直接硬拷貝:連接第三方打印機輸出曲線報告。
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三、典型應用場景
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功率器件測試:
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晶閘管/SCR 關斷電壓、MOSFET/IGBT 導通電流、二極管反向擊穿特性。
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研發(fā)與質(zhì)量控制:
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SPICE 參數(shù)提取:生成器件模型所需數(shù)據(jù)。
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故障分析:定位半導體器件失效點(如過熱損傷)。
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生產(chǎn)場景:
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元件匹配(如配對晶體管)、來料檢驗、產(chǎn)線過程監(jiān)控。
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四、硬件配置與維護
組件 | 說明 | 注意事項 |
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測試端口 | 高壓端子(3000V)、大電流端子(400A) | 操作時需佩戴絕緣防護裝備 |
散熱設計 | 強制風冷系統(tǒng),支持 3000W 脈沖功率 | 定期清理風扇防塵網(wǎng) |
存儲設備 | 3.5 英寸軟盤驅(qū)動器(MS-DOS 格式) | 數(shù)據(jù)備份避免磁盤老化丟失 |
校準周期 | 推薦每年校準一次(精度 ±0.1%) |